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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › APTGLQ150H120G
APTGLQ150H120G

APTGLQ150H120G - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APTGLQ150H120G
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
POWER MODULE - IGBT
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
APTGLQ150H120G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1262 pcs
Referenzpreis
USD 130.3591/pcs
Unser Preis
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APTGLQ150H120G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APTGLQ150H120G
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Full Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 250A
Leistung max 750W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 150A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 8.8nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket SP6
Gewicht -
Ursprungsland -

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