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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › APTGF50DH60T1G
APTGF50DH60T1G

APTGF50DH60T1G - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APTGF50DH60T1G
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
IGBT NPT BRIDGE 600V 65A SP1
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
APTGF50DH60T1G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
APTGF50DH60T1G.pdf
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4500 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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APTGF50DH60T1G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APTGF50DH60T1G
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ NPT
Aufbau Asymmetrical Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 65A
Leistung max 250W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 50A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 2.2nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SP1
Lieferantengerätepaket SP1
Gewicht -
Ursprungsland -

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