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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › APTGF25H120T3G
APTGF25H120T3G

APTGF25H120T3G - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APTGF25H120T3G
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
APTGF25H120T3G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
APTGF25H120T3G.pdf
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3910 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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APTGF25H120T3G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APTGF25H120T3G
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ NPT
Aufbau Full Bridge Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 40A
Leistung max 208W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 25A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 1.65nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SP3
Lieferantengerätepaket SP3
Gewicht -
Ursprungsland -

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