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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › APTGF150A120T3WG
APTGF150A120T3WG

APTGF150A120T3WG - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APTGF150A120T3WG
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
IGBT NPT PHASE 1200V 210A SP3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
APTGF150A120T3WG PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
APTGF150A120T3WG.pdf
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3585 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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APTGF150A120T3WG detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APTGF150A120T3WG
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ NPT
Aufbau Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 210A
Leistung max 961W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 150A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 9.3nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SP3
Lieferantengerätepaket SP3
Gewicht -
Ursprungsland -

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