| Artikelnummer | APTDF100H100G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Single Phase |
| Technologie | Standard |
| Spannung - Spitzenrücklauf (Max) | 1000V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 130A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 2.7V @ 100A |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 1000V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP4 |
| Lieferantengerätepaket | SP4 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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APTDF100H100G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | Einzelheiten |
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APTDF100H1201G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP1 | Einzelheiten |
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APTDF100H120G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | Einzelheiten |
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APTDF100H170G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | Einzelheiten |
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APTDF100H20G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | Einzelheiten |
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APTDF100H601G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP1 | Einzelheiten |
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APTDF100H60G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | Einzelheiten |
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APTDF200H100G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6 | Einzelheiten |
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APTDF200H120G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6 | Einzelheiten |
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APTDF200H170G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6 | Einzelheiten |
