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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › APTCV60HM70BT3G
APTCV60HM70BT3G

APTCV60HM70BT3G - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APTCV60HM70BT3G
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
APTCV60HM70BT3G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
498 pcs
Referenzpreis
USD 54.1141/pcs
Unser Preis
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APTCV60HM70BT3G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APTCV60HM70BT3G
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Boost Chopper, Full Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 50A
Leistung max 250W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 50A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 3.15nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SP3
Lieferantengerätepaket SP3
Gewicht -
Ursprungsland -

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