| Artikelnummer | APTC80TDU15PG |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 800V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 28A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 14A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 2mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4507pF @ 25V |
| Leistung max | 277W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP6 |
| Lieferantengerätepaket | SP6-P |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
APTC80A10SCTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 800V 42A SP4 | Einzelheiten |
|
APTC80A15SCTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 800V 28A SP4 | Einzelheiten |
|
APTC80A15T1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 800V 28A SP1 | Einzelheiten |
|
APTC80AM75SCG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 800V 56A SP6 | Einzelheiten |
|
APTC80DA15T1G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 28A SP1 | Einzelheiten |
|
APTC80DDA15T3G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3 | Einzelheiten |
|
APTC80DDA29T3G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3 | Einzelheiten |
|
APTC80DSK15T3G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3 | Einzelheiten |
|
APTC80DSK29T3G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3 | Einzelheiten |
|
APTC80H15T1G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1 | Einzelheiten |
