APTC80H29T3G

APTC80H29T3G - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APTC80H29T3G
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
MOSFET 4N-CH 800V 15A SP3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
826 pcs
Referenzpreis
USD 32.0688/pcs
Unser Preis
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APTC80H29T3G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APTC80H29T3G
Teilstatus Active
FET Typ 4 N-Channel (H-Bridge)
FET-Eigenschaft Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 800V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 15A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 290 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2254pF @ 25V
Leistung max 156W
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SP3
Lieferantengerätepaket SP3
Gewicht -
Ursprungsland -

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