| Artikelnummer | APTC60AM35T1G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 72A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 72A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 5.4mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 518nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 14000pF @ 25V |
| Leistung max | 416W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP1 |
| Lieferantengerätepaket | SP1 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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APTC60AM18SCG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 143A SP6 | Einzelheiten |
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APTC60AM242G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 95A SP2 | Einzelheiten |
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APTC60AM24SCTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 95A SP4 | Einzelheiten |
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APTC60AM24T1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 95A SP1 | Einzelheiten |
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APTC60AM35SCTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 72A SP4 | Einzelheiten |
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APTC60AM35T1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 72A SP1 | Einzelheiten |
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APTC60AM42F2G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 66A SP2 | Einzelheiten |
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APTC60AM45B1G | Microsemi Corporation | MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1 | Einzelheiten |
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APTC60AM45BC1G | Microsemi Corporation | MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1 | Einzelheiten |
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APTC60AM45T1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1 | Einzelheiten |
