APT8020LFLLG - Microsemi Corporation

Artikelnummer	APT8020LFLLG
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	800V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	38A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	195nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5200pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	694W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	220 mOhm @ 19A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-264 [L]
Paket / Fall	TO-264-3, TO-264AA
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
APT8014JLL	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 800V 42A SOT-227	Einzelheiten
APT8015JVR	APT	APT8015JVR APT SMD or Through Hole New Original Stocks	Einzelheiten
APT8018JN	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 800V 40A ISOTOP	Einzelheiten
APT8020B2LLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX	Einzelheiten
APT8020JLL	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227	Einzelheiten
APT8020LFLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 800V 38A TO-264	Einzelheiten
APT8024B2LLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 800V 31A T-MAX	Einzelheiten
APT8024JLL	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227	Einzelheiten
APT8024LFLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 800V 31A TO-264	Einzelheiten
APT8024LLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 800V 31A TO-264	Einzelheiten