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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › APT68GA60B2D40
APT68GA60B2D40

APT68GA60B2D40 - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APT68GA60B2D40
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
IGBT 600V 121A 520W TO-247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
APT68GA60B2D40 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
40 pcs
Referenzpreis
USD 12.61/pcs
Unser Preis
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APT68GA60B2D40 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APT68GA60B2D40
Teilstatus Active
IGBT-Typ PT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 121A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 202A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 40A
Leistung max 520W
Energie wechseln 715µJ (on), 607µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 198nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 21ns/133ns
Testbedingung 400V, 40A, 4.7 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3 Variant
Lieferantengerätepaket -
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR APT68GA60B2D40

Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
APT68GA60B APT68GA60B Microsemi Corporation IGBT 600V 121A 520W TO-247 Einzelheiten
APT68GA60B2D40 APT68GA60B2D40 Microsemi Corporation IGBT 600V 121A 520W TO-247 Einzelheiten
APT68GA60LD40 APT68GA60LD40 Microsemi Corporation IGBT 600V 121A 520W TO-264 Einzelheiten