| Artikelnummer | APT36GA60B |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 600V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 65A |
| Strom - Kollektorimpuls (Icm) | 109A |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 20A |
| Leistung max | 290W |
| Energie wechseln | 307µJ (on), 254µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Ladung | 102nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 16ns/122ns |
| Testbedingung | 400V, 20A, 10 Ohm, 15V |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 [B] |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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APT30D100BCAG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247 | Einzelheiten |
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APT30D100BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247 | Einzelheiten |
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APT30D100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247 | Einzelheiten |
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APT30D100BHBG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247 | Einzelheiten |
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APT30D120BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247 | Einzelheiten |
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APT30D120BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247 | Einzelheiten |
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APT30D20BCAG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247 | Einzelheiten |
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APT30D20BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247 | Einzelheiten |
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APT30D20BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 30A TO247 | Einzelheiten |
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APT30D30BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247 | Einzelheiten |
