Artikelnummer | APL502B2G |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 500V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 58A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 15V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9000pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±30V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 730W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 29A, 12V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | T-MAX™ [B2] |
Paket / Fall | TO-247-3 Variant |
Gewicht | - |
Ursprungsland | - |