| Artikelnummer | 2N5013S |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| Transistor-Typ | NPN |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 200mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 800V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 5mA, 20mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 10V |
| Leistung max | 1W |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Lieferantengerätepaket | TO-39 (TO-205AD) |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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2N5000 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | Einzelheiten |
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2N5001 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | Einzelheiten |
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2N5002 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | Einzelheiten |
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2N5002_02 | SEMICOA | Silicon NPN Transistor | Einzelheiten |
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2N5003 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | Einzelheiten |
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2N5003_02 | SEMICOA | Silicon PNP Transistor | Einzelheiten |
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2N5004 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | Einzelheiten |
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2N5004_02 | SEMICOA | Silicon NPN Transistor | Einzelheiten |
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2N5005 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | Einzelheiten |
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2N5005_02 | SEMICOA | Silicon PNP Transistor | Einzelheiten |
