| Artikelnummer | 2N4957UB |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | PNP |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 30V |
| Frequenz - Übergang | - |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 3.5dB @ 450MHz |
| Gewinnen | 25dB |
| Leistung max | 200mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 30mA |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 3-SMD, No Lead |
| Lieferantengerätepaket | UB |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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2N4000 | CENTRAL | Small Signal Transistors | Einzelheiten |
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2N4012 | EXSHINE | silicon transistors UHF/VHF power transistors | Einzelheiten |
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2N4014 | Central Semiconductor Corp | TRANS NPN 50V TO-18 | Einzelheiten |
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2N4015 | Central Semiconductor Corp | TRANS 2PNP 300MA 60V TO78-6 | Einzelheiten |
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2N4016 | Central Semiconductor Corp | TRANS 2PNP 300MA 60V TO78-6 | Einzelheiten |
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2N4023 | EXSHINE | SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS | Einzelheiten |
