2729-170 - Microsemi Corporation

Artikelnummer	2729-170
Teilstatus	Active
Transistor-Typ	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	65V
Frequenz - Übergang	2.7GHz ~ 2.9GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)	-
Gewinnen	8.2dB ~ 8.6dB
Leistung max	570W
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	18 @ 60mA, 5V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	17A
Betriebstemperatur	200°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount
Paket / Fall	55KS-1
Lieferantengerätepaket	55KS-1
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
272-029-631-002	EDAC Inc.	CONN SAS RCPT 29POS PRESSFIT PCB	Einzelheiten
272-06747	Carling Technologies	SWITCH PLATE ON-OFF 15/32	Einzelheiten
272-07293	Carling Technologies	SWITCH PLATE ON-OFF 15/32	Einzelheiten
2720032	Phoenix Contact	WARNING PLATE DEVICE TERM BLOCK	Einzelheiten
272100-11	Amphenol RF Division	CONN 7/16 DIN JACK STR 50 OHM	Einzelheiten
272101	Amphenol RF Division	CONN 7/16 DIN JACK STR 50 OHM	Einzelheiten
272105	Amphenol RF Division	CONN 7/16 PLUG STR 50 OHM SOLDER	Einzelheiten
272110	Amphenol RF Division	CONN 7/16 DIN PLG STR 50OHM PUSH	Einzelheiten
27211218000	HARTING	HLNK SV FE SDP 29 AUS4 HT	Einzelheiten
27211218002	HARTING	HLNK SV FE SDP 2,9 AUS4 HT COLOR	Einzelheiten