NAND04GR3B2DN6E - Micron Technology Inc.

Artikelnummer	NAND04GR3B2DN6E
Teilstatus	Discontinued at Digi-Key
Speichertyp	Non-Volatile
Speicherformat	FLASH
Technologie	FLASH - NAND
Speichergröße	4Gb (512M x 8)
Taktfrequenz	-
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite	25ns
Zugriffszeit	25ns
Speicherschnittstelle	Parallel
Spannungsversorgung	1.7 V ~ 1.95 V
Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket	48-TSOP
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
NAND016R3B2CZA6	ST	NAND016R3B2CZA6 ST BGA New Original Stocks	Einzelheiten
NAND01G-B	EXSHINE	2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory	Einzelheiten
NAND01G-N	EXSHINE	1 Gbit (x8/x16) 2112 Byte Page NAND Flash Memory and 512 Mbit (x16) LPSDRAM, 1.8V, Multi-Chip Package	Einzelheiten
NAND01GR3B	EXSHINE	2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory	Einzelheiten
NAND01GR3B2BZA6E	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1GBIT 30NS 63VFBGA	Einzelheiten
NAND01GR3B2CZA6E	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1GBIT 30NS 63VFBGA	Einzelheiten
NAND01GR3N6	EXSHINE	1 Gbit (x8/x16) 2112 Byte Page NAND Flash Memory and 512 Mbit (x16) LPSDRAM, 1.8V, Multi-Chip Package	Einzelheiten
NAND01GR4N5	EXSHINE	1 Gbit (x8/x16) 2112 Byte Page NAND Flash Memory and 512 Mbit (x16) LPSDRAM, 1.8V, Multi-Chip Package	Einzelheiten
NAND01GW382CN6	STM	NAND01GW382CN6 STM TSOP New Original Stocks	Einzelheiten
NAND01GW3A0AN6E	STMicroelectronics	IC FLASH 1GBIT 50NS 48TSOP	Einzelheiten