| Artikelnummer | MT53D512M64D4NY-046 XT ES:D |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Speichergröße | 32Gb (512M x 64) |
| Taktfrequenz | 2133MHz |
| Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Speicherschnittstelle | - |
| Spannungsversorgung | 1.1V |
| Betriebstemperatur | -30°C ~ 105°C (TC) |
| Befestigungsart | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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MT53D512M16D1Z11MWC2 | Micron Technology Inc. | LPDDR4 8G DIE 512MX16 | Einzelheiten |
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MT53D512M16D1Z11MWC2 ES | Micron Technology Inc. | LPDDR4 8G DIE 512MX16 | Einzelheiten |
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MT53D512M32D2DS-046 AAT:D | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 2133MHZ | Einzelheiten |
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MT53D512M32D2DS-046 AAT:D TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 2133MHZ | Einzelheiten |
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MT53D512M32D2DS-046 AIT:D | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 2133MHZ | Einzelheiten |
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MT53D512M32D2DS-046 AIT:D TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 2133MHZ | Einzelheiten |
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MT53D512M32D2DS-046 AUT:D | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 2133MHZ | Einzelheiten |
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MT53D512M32D2DS-046 AUT:D TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 2133MHZ | Einzelheiten |
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MT53D512M32D2DS-046 WT ES:D | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA | Einzelheiten |
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MT53D512M32D2DS-053 AAT:D | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 1866MHZ | Einzelheiten |
