MT53D512M64D4NY-046 XT ES:D

MT53D512M64D4NY-046 XT ES:D - Micron Technology Inc.

Artikelnummer
MT53D512M64D4NY-046 XT ES:D
Hersteller
Micron Technology Inc.
Kurze Beschreibung
IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
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Kategorie
Speicher
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
26382 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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MT53D512M64D4NY-046 XT ES:D detaillierte Beschreibung

Artikelnummer MT53D512M64D4NY-046 XT ES:D
Teilstatus Obsolete
Speichertyp Volatile
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4
Speichergröße 32Gb (512M x 64)
Taktfrequenz 2133MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit -
Speicherschnittstelle -
Spannungsversorgung 1.1V
Betriebstemperatur -30°C ~ 105°C (TC)
Befestigungsart -
Paket / Fall -
Lieferantengerätepaket -
Gewicht -
Ursprungsland -

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