MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR

MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR - Micron Technology Inc.

Artikelnummer
MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR
Hersteller
Micron Technology Inc.
Kurze Beschreibung
IC DRAM 64G 2133MHZ FBGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
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Kategorie
Speicher
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
25797 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR detaillierte Beschreibung

Artikelnummer MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR
Teilstatus Active
Speichertyp Volatile
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4
Speichergröße 64Gb (1G x 64)
Taktfrequenz 2133MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit -
Speicherschnittstelle -
Spannungsversorgung 1.1V
Betriebstemperatur -30°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart -
Paket / Fall -
Lieferantengerätepaket -
Gewicht -
Ursprungsland -

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