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MT47H128M4SH-25E:H TR

MT47H128M4SH-25E:H TR - Micron Technology Inc.

Artikelnummer
MT47H128M4SH-25E:H TR
Hersteller
Micron Technology Inc.
Kurze Beschreibung
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
MT47H128M4SH-25E:H TR PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Speicher
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
25400 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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MT47H128M4SH-25E:H TR detaillierte Beschreibung

Artikelnummer MT47H128M4SH-25E:H TR
Teilstatus Active
Speichertyp Volatile
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - DDR2
Speichergröße 512Mb (128M x 4)
Taktfrequenz 400MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite 15ns
Zugriffszeit 400ps
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur 0°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket 60-FBGA (8x10)
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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