| Artikelnummer | MT46V128M4CY-5B:J TR |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR |
| Speichergröße | 512Mb (128M x 4) |
| Taktfrequenz | 200MHz |
| Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
| Zugriffszeit | 700ps |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 2.5V ~ 2.7V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Befestigungsart | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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MT46V128M4BN-5B:F | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60FBGA | Einzelheiten |
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MT46V128M4BN-5B:F TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60FBGA | Einzelheiten |
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MT46V128M4BN-6:D | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 60FBGA | Einzelheiten |
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MT46V128M4BN-6:D TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 60FBGA | Einzelheiten |
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MT46V128M4BN-6:F | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 60FBGA | Einzelheiten |
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MT46V128M4BN-6:F TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 60FBGA | Einzelheiten |
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MT46V128M4BN-75:D | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 60FBGA | Einzelheiten |
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MT46V128M4BN-75:D TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 60FBGA | Einzelheiten |
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MT46V128M4CY-5B:J | Micron Technology Inc. | IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ | Einzelheiten |
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MT46V128M4CY-5B:J TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ | Einzelheiten |
