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MT46H128M16LFB7-6 WT:B TR

MT46H128M16LFB7-6 WT:B TR - Micron Technology Inc.

Artikelnummer
MT46H128M16LFB7-6 WT:B TR
Hersteller
Micron Technology Inc.
Kurze Beschreibung
IC SDRAM 2GBIT 167MHZ 60VFBGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
MT46H128M16LFB7-6 WT:B TR PDF-Online-Browsing
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-
Kategorie
Speicher
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3894 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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MT46H128M16LFB7-6 WT:B TR detaillierte Beschreibung

Artikelnummer MT46H128M16LFB7-6 WT:B TR
Teilstatus Obsolete
Speichertyp Volatile
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße 2Gb (128M x 16)
Taktfrequenz 166MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite 15ns
Zugriffszeit 5.0ns
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 1.7 V ~ 1.95 V
Betriebstemperatur -25°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 60-VFBGA
Lieferantengerätepaket 60-VFBGA (10x10)
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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MT46H128M16LFB7-5 IT:B MT46H128M16LFB7-5 IT:B Micron Technology Inc. IC SDRAM 2GBIT 200MHZ 60VFBGA Einzelheiten
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MT46H128M16LFB7-5 WT:B MT46H128M16LFB7-5 WT:B Micron Technology Inc. IC SDRAM 2GBIT 200MHZ 60VFBGA Einzelheiten
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MT46H128M16LFB7-6 WT:B TR MT46H128M16LFB7-6 WT:B TR Micron Technology Inc. IC SDRAM 2GBIT 167MHZ 60VFBGA Einzelheiten