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MT41K256M16TW-125:P

MT41K256M16TW-125:P - Micron Technology Inc.

Artikelnummer
MT41K256M16TW-125:P
Hersteller
Micron Technology Inc.
Kurze Beschreibung
IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
MT41K256M16TW-125:P PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Speicher
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
30945 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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MT41K256M16TW-125:P detaillierte Beschreibung

Artikelnummer MT41K256M16TW-125:P
Teilstatus Obsolete
Speichertyp Volatile
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - DDR3L
Speichergröße 4Gb (256M x 16)
Taktfrequenz 800MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit 20ns
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur 0°C ~ 95°C (TC)
Befestigungsart -
Paket / Fall -
Lieferantengerätepaket -
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
MT41K256M16HA-107 IT:E MT41K256M16HA-107 IT:E Micron Technology Inc. IC SDRAM 4GBIT 933MHZ 96FBGA Einzelheiten
MT41K256M16HA-107 IT:E TR MT41K256M16HA-107 IT:E TR Micron Technology Inc. IC SDRAM 4GBIT 933MHZ 96FBGA Einzelheiten
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MT41K256M16HA-125 AAT:E MT41K256M16HA-125 AAT:E Micron Technology Inc. IC SDRAM 4GBIT 800MHZ 96FBGA Einzelheiten
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MT41K256M16HA-125 AIT:E MT41K256M16HA-125 AIT:E Micron Technology Inc. IC SDRAM 4GBIT 800MHZ 96FBGA Einzelheiten
MT41K256M16HA-125 AIT:E TR MT41K256M16HA-125 AIT:E TR Micron Technology Inc. IC SDRAM 4GBIT 800MHZ 96FBGA Einzelheiten