MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G - Micron Technology Inc.

Artikelnummer	MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G
Teilstatus	Obsolete
Speichertyp	Non-Volatile
Speicherformat	FLASH, RAM
Technologie	FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
Speichergröße	2Gb (256M x 8)(NAND), 1G (32M x 32)(LPDDR2)
Taktfrequenz	533MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite	-
Zugriffszeit	-
Speicherschnittstelle	Parallel
Spannungsversorgung	1.8V
Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	162-VFBGA
Lieferantengerätepaket	162-VFBGA (10.5x8)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G	Micron Technology Inc.	IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ	Einzelheiten
MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR	Micron Technology Inc.	MASSFLASH/LPDDR2 3G	Einzelheiten
MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F	Micron Technology Inc.	IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ	Einzelheiten
MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F TR	Micron Technology Inc.	256MX8/64MX32 MCP PLASTIC IND TE	Einzelheiten
MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F	Micron Technology Inc.	IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ	Einzelheiten
MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR	Micron Technology Inc.	256MX8/64MX32 MCP PLASTIC WIRELE	Einzelheiten