MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H - Micron Technology Inc.

Artikelnummer	MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H
Teilstatus	Active
Speichertyp	Non-Volatile
Speicherformat	FLASH, RAM
Technologie	FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
Speichergröße	1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (32M x 16)(LPDDR2)
Taktfrequenz	533MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite	-
Zugriffszeit	-
Speicherschnittstelle	Parallel
Spannungsversorgung	1.8V
Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	121-WFBGA
Lieferantengerätepaket	121-VFBGA (8x7.5)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H	Micron Technology Inc.	IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ	Einzelheiten
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H TR	Micron Technology Inc.	64MX16/32MX16 MCP PLASTIC IND TE	Einzelheiten
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H	Micron Technology Inc.	IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ	Einzelheiten
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR	Micron Technology Inc.	64MX16/32MX16 MCP PLASTIC WIRELE	Einzelheiten
MT29RZ1CVCZZHGTN-25 W.4M0	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1.5G DDR	Einzelheiten
MT29RZ1CVCZZHGTN-25 W.4M0 TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1.5G DDR	Einzelheiten