| Artikelnummer | MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Speichergröße | 512Gb (64G x 8) |
| Taktfrequenz | 267MHz |
| Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Befestigungsart | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
|
MT29F512G08AUCBBH8-6:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512GBIT 167MHZ 132LBGA | Einzelheiten |
|
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ | Einzelheiten |
|
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512GBIT 167MHZ 152LBGA | Einzelheiten |
|
MT29F512G08AUCBBK8-6:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512GBIT 167MHZ TLGA | Einzelheiten |
|
MT29F512G08AUEBBH8-12:B | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ | Einzelheiten |
|
MT29F512G08AUEBBH8-12:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ | Einzelheiten |
|
MT29F512G08AUEBBK8-12:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512GBIT 83MHZ TLGA | Einzelheiten |
|
MT29F512G08CECBBJ4-37:B | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512G PARALLEL 267MHZ | Einzelheiten |
|
MT29F512G08CECBBJ4-37:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512GBIT 267MHZ 132VBGA | Einzelheiten |
|
MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512GBIT 267MHZ 132VBGA | Einzelheiten |
