| Artikelnummer | MT29F3T08EQCBBG2-37ES:B TR |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Speichergröße | 3Tb (384G x 8) |
| Taktfrequenz | 267MHz |
| Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Befestigungsart | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
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MT29F3T08EQCBBG2-37:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 3TBIT 267MHZ 272TBGA | Einzelheiten |
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MT29F3T08EQCBBG2-37ES:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 3TBIT 267MHZ 272TBGA | Einzelheiten |
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MT29F3T08EQHBBG2-3R:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 3TBIT 333MHZ 272TBGA | Einzelheiten |
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MT29F3T08EQHBBG2-3RES:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 3TBIT 333MHZ 272TBGA | Einzelheiten |
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MT29F3T08EUCBBM4-37:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 3TBIT 267MHZ 132LBGA | Einzelheiten |
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MT29F3T08EUCBBM4-37ES:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 3TBIT 267MHZ 132LBGA | Einzelheiten |
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MT29F3T08EUHBBM4-3R:B | Micron Technology Inc. | IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ | Einzelheiten |
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MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 3TBIT 333MHZ 132LBGA | Einzelheiten |
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MT29F3T08EUHBBM4-3RES:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 3TBIT 333MHZ 132LBGA | Einzelheiten |
