| Artikelnummer | MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Speichergröße | 1.5Tb (192G x 8) |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 2.5V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Befestigungsart | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
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MT29E1HT08ELHBBG1-3:B | Micron Technology Inc. | IC FLASH 1.5TBIT 272VBGA | Einzelheiten |
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MT29E1HT08ELHBBG1-3ES:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 1.5TBIT 272VBGA | Einzelheiten |
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MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B | Micron Technology Inc. | IC FLASH 1.5T PARALLEL VBGA | Einzelheiten |
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MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 1.5TBIT 132VBGA | Einzelheiten |
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MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 1.5TBIT 132VBGA | Einzelheiten |
