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Zuhause › Produktkategorien › Integrierte Schaltungen (ICs) › Speicher › EDB5432BEBH-1DIT-F-D
EDB5432BEBH-1DIT-F-D

EDB5432BEBH-1DIT-F-D - Micron Technology Inc.

Artikelnummer
EDB5432BEBH-1DIT-F-D
Hersteller
Micron Technology Inc.
Kurze Beschreibung
IC SDRAM 512MBIT 533MHZ 134VFBGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
EDB5432BEBH-1DIT-F-D PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Speicher
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
6564 pcs
Referenzpreis
USD 4.1259/pcs
Unser Preis
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EDB5432BEBH-1DIT-F-D detaillierte Beschreibung

Artikelnummer EDB5432BEBH-1DIT-F-D
Teilstatus Active
Speichertyp Volatile
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR2
Speichergröße 512Mb (16M x 32)
Taktfrequenz 533MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit -
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 1.14 V ~ 1.95 V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 134-VFBGA
Lieferantengerätepaket 134-VFBGA (10x11.5)
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
EDB5432BEBH-1DAAT-F-D EDB5432BEBH-1DAAT-F-D Micron Technology Inc. IC SDRAM 512MBIT 533MHZ 134VFBGA Einzelheiten
EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR Micron Technology Inc. IC SDRAM 512MBIT 533MHZ 134VFBGA Einzelheiten
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EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR Micron Technology Inc. IC SDRAM 512MBIT 533MHZ 134VFBGA Einzelheiten
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EDB5432BEPA-1DAAT-F-D EDB5432BEPA-1DAAT-F-D Micron Technology Inc. IC SDRAM 512MBIT 533MHZ 168WFBGA Einzelheiten
EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR Micron Technology Inc. IC SDRAM 512MBIT 533MHZ 168WFBGA Einzelheiten
EDB5432BEPA-1DIT-F-D EDB5432BEPA-1DIT-F-D Micron Technology Inc. IC SDRAM 512MBIT 533MHZ 168WFBGA Einzelheiten
EDB5432BEPA-1DIT-F-R EDB5432BEPA-1DIT-F-R Micron Technology Inc. IC DRAM 512M PARALLEL 533MHZ Einzelheiten