SI3139KE-TP - Micro Commercial Co

Artikelnummer	SI3139KE-TP
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	660mA
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	170 pF @ 6V
Vgs (Max)	±12V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	150mW
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	700 mOhm @ 600mA, 4.5V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	SOT-523
Paket / Fall	SOT-523
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
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