| Artikelnummer | 2N5401-AP |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | PNP |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 600mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 150V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
| Leistung max | 1.5W |
| Frequenz - Übergang | 100MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Lieferantengerätepaket | TO-92 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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2N5000 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | Einzelheiten |
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2N5001 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | Einzelheiten |
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2N5002 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | Einzelheiten |
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2N5002_02 | SEMICOA | Silicon NPN Transistor | Einzelheiten |
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2N5003 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | Einzelheiten |
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2N5003_02 | SEMICOA | Silicon PNP Transistor | Einzelheiten |
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2N5004 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | Einzelheiten |
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2N5004_02 | SEMICOA | Silicon NPN Transistor | Einzelheiten |
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2N5005 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | Einzelheiten |
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2N5005_02 | SEMICOA | Silicon PNP Transistor | Einzelheiten |
