| Artikelnummer | 1N6012B-TP |
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| Teilstatus | Obsolete |
| Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 33V |
| Toleranz | ±5% |
| Leistung max | 500mW |
| Impedanz (Max) (Zzt) | 88 Ohm |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100nA @ 25V |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 100mA |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Lieferantengerätepaket | DO-35 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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1N60 | JF | 1N60 JF SMD or Through Hole New Original Stocks | Einzelheiten |
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1N6000A | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 10V 500MW DO35 | Einzelheiten |
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1N6000B | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 10V 500MW DO35 | Einzelheiten |
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1N6000B BK | Central Semiconductor Corp | DIODE ZENER 10V 500MW DO35 | Einzelheiten |
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1N6000B TR | Central Semiconductor Corp | DIODE ZENER 10V 500MW DO35 | Einzelheiten |
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1N6000B_T50A | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE ZENER 10V 500MW DO35 | Einzelheiten |
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1N6000B_T50R | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE ZENER 10V 500MW DO35 | Einzelheiten |
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1N6000C | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 10V 500MW DO35 | Einzelheiten |
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1N6000D | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 10V 500MW DO35 | Einzelheiten |
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1N6000UR | Microsemi Corporation | ZENER DIODE | Einzelheiten |
