DS1230Y-200IND+ detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
DS1230Y-200IND+ |
Teilstatus |
Active |
Speichertyp |
Non-Volatile |
Speicherformat |
NVSRAM |
Technologie |
NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Speichergröße |
256Kb (32K x 8) |
Taktfrequenz |
- |
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite |
200ns |
Zugriffszeit |
200ns |
Speicherschnittstelle |
Parallel |
Spannungsversorgung |
4.5 V ~ 5.5 V |
Betriebstemperatur |
-40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart |
Through Hole |
Paket / Fall |
28-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Lieferantengerätepaket |
28-EDIP |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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