DS1225Y-200IND+ - Maxim Integrated

Artikelnummer	DS1225Y-200IND+
Teilstatus	Active
Speichertyp	Non-Volatile
Speicherformat	NVSRAM
Technologie	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Speichergröße	64Kb (8K x 8)
Taktfrequenz	-
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite	200ns
Zugriffszeit	200ns
Speicherschnittstelle	Parallel
Spannungsversorgung	4.5 V ~ 5.5 V
Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Lieferantengerätepaket	28-EDIP
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
DS1220AB-100	Maxim Integrated	IC NVSRAM 16KBIT 100NS 24EDIP	Einzelheiten
DS1220AB-100+	Maxim Integrated	IC NVSRAM 16KBIT 100NS 24EDIP	Einzelheiten
DS1220AB-100IND	Maxim Integrated	IC NVSRAM 16KBIT 100NS 24EDIP	Einzelheiten
DS1220AB-100IND+	Maxim Integrated	IC NVSRAM 16KBIT 100NS 24EDIP	Einzelheiten
DS1220AB-120	Maxim Integrated	IC NVSRAM 16KBIT 120NS 24EDIP	Einzelheiten
DS1220AB-120+	Maxim Integrated	IC NVSRAM 16KBIT 120NS 24EDIP	Einzelheiten
DS1220AB-120IND+	DALLAS	DS1220AB-120IND+ DALLAS DIP New Original Stocks	Einzelheiten
DS1220AB-150	Maxim Integrated	IC NVSRAM 16KBIT 150NS 24EDIP	Einzelheiten
DS1220AB-150+	Maxim Integrated	IC NVSRAM 16KBIT 150NS 24EDIP	Einzelheiten
DS1220AB-150IND	Maxim Integrated	IC NVSRAM 16KBIT 150NS 24EDIP	Einzelheiten