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Zuhause › Produktkategorien › Elektronische Bauteile › Dioden Transistor - 4 › AS4C1M16F5-50TI
AS4C1M16F5-50TI

AS4C1M16F5-50TI - EXSHINE

Artikelnummer
AS4C1M16F5-50TI
Hersteller
EXSHINE
Kurze Beschreibung
5V 1M X 16 CMOS DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
AS4C1M16F5-50TI PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Dioden Transistor - 4
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4785000 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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AS4C1M16F5-50TI detaillierte Beschreibung

Artikelnummer AS4C1M16F5-50TI
Package Type SMD or Through Hole
Rohs Status Lead free / RoHS Compliant
Description 5V 1M X 16 CMOS DRAM
MFG Part Code AS4C1M16F5-50TI
Series AS4C1M16F5
Delivery Time 1 Day
Eigenschaften -
Stromspannung -
Date Code New
Befestigungsart -
Betriebstemperatur -
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1
Strom -
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
AS4C128M16D2-25BCN AS4C128M16D2-25BCN Alliance Memory, Inc. IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 84BGA Einzelheiten
AS4C128M16D2-25BCNTR AS4C128M16D2-25BCNTR Alliance Memory, Inc. IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 84BGA Einzelheiten
AS4C128M16D2-25BIN AS4C128M16D2-25BIN Alliance Memory, Inc. IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 84BGA Einzelheiten
AS4C128M16D2-25BINTR AS4C128M16D2-25BINTR Alliance Memory, Inc. IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 84BGA Einzelheiten
AS4C128M16D2A-25BCN AS4C128M16D2A-25BCN Alliance Memory, Inc. IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 84BGA Einzelheiten
AS4C128M16D2A-25BCNTR AS4C128M16D2A-25BCNTR Alliance Memory, Inc. IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA Einzelheiten
AS4C128M16D2A-25BIN AS4C128M16D2A-25BIN Alliance Memory, Inc. IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 84BGA Einzelheiten
AS4C128M16D2A-25BINTR AS4C128M16D2A-25BINTR Alliance Memory, Inc. IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 84BGA Einzelheiten
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AS4C128M16D3-12BANTR AS4C128M16D3-12BANTR Alliance Memory, Inc. IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 96BGA Einzelheiten