• Deutschl
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Zuhause › Produktkategorien › Elektronische Bauteile › Dioden Transistor - 3 › 2SK2901-01S
2SK2901-01S

2SK2901-01S - FUJI

Artikelnummer
2SK2901-01S
Hersteller
FUJI
Kurze Beschreibung
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
2SK2901-01S PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Dioden Transistor - 3
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1865250 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern 2SK2901-01S

2SK2901-01S detaillierte Beschreibung

Artikelnummer 2SK2901-01S
Package Type SMD or Through Hole
Rohs Status Lead free / RoHS Compliant
Description N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET
MFG Part Code 2SK2901-01S
Series 2SK2901
Delivery Time 1 Day
Eigenschaften -
Stromspannung -
Date Code New
Befestigungsart -
Betriebstemperatur -
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1
Strom -
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR 2SK2901-01S

Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
2SK2000 2SK2000 FUJI Power MOSFET Einzelheiten
2SK2000-R 2SK2000-R FUJI Power MOSFET Einzelheiten
2SK2002-01MR 2SK2002-01MR FUJI N-channel MOS-FET Einzelheiten
2SK2003-01MR 2SK2003-01MR FUJI N-channel MOS-FET Einzelheiten
2SK2004-01L 2SK2004-01L FUJI N-channel MOS-FET Einzelheiten
2SK2004-01S 2SK2004-01S FUJI N-channel MOS-FET Einzelheiten
2SK2009 2SK2009 TOS 2SK2009 TOS SOT-23 New Original Stocks Einzelheiten
2SK2009(TE85L) 2SK2009(TE85L) ORIGINAL 2SK2009(TE85L) ORIGINAL SOT23 New Original Stocks Einzelheiten
2SK2009TE85LF 2SK2009TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI Einzelheiten
2SK2018 2SK2018 FUZI 2SK2018 FUZI SOT-25.. New Original Stocks Einzelheiten