| Artikelnummer | JANTXV1N4626UR-1 |
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| Teilstatus | Active |
| Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 5.6V |
| Toleranz | ±5% |
| Leistung max | 500mW |
| Impedanz (Max) (Zzt) | 1400 Ohm |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 4V |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 200mA |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 175°C |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-213AA (Glass) |
| Lieferantengerätepaket | DO-213AA |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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JANTXV1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | Einzelheiten |
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JANTXV1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | Einzelheiten |
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JANTXV1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | Einzelheiten |
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JANTXV1N1186R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | Einzelheiten |
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JANTXV1N1188 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | Einzelheiten |
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JANTXV1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | Einzelheiten |
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JANTXV1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | Einzelheiten |
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JANTXV1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | Einzelheiten |
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JANTXV1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Einzelheiten |
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JANTXV1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | Einzelheiten |
