| Artikelnummer | V10P175AUTO2T |
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| Teilstatus | Active |
| Maximale AC Volt | 175V |
| Maximale DC Volt | 225V |
| Varistorspannung (Min.) | 243V |
| Varistorspannung (Typ) | 270V |
| Varistorspannung (Max) | 297V |
| Strom - Überspannung | 3.5kA |
| Energie | 55J |
| Anzahl der Schaltungen | 1 |
| Kapazität @ Frequenz | 350pF @ 1MHz |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Eigenschaften | - |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | Disc 10mm |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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V10P10 | VISHAY | High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | Einzelheiten |
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V10P10-E3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A | Einzelheiten |
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V10P10-E3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A | Einzelheiten |
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V10P10-M3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A | Einzelheiten |
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V10P10-M3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A | Einzelheiten |
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V10P10HE3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A | Einzelheiten |
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V10P10HE3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A | Einzelheiten |
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V10P10HM3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A | Einzelheiten |
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V10P10HM3/87A | VISHAY | High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | Einzelheiten |
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V10P10HM3_A/H | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 10A TO277A | Einzelheiten |
