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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › MMIX1X200N60B3H1
MMIX1X200N60B3H1

MMIX1X200N60B3H1 - IXYS

Artikelnummer
MMIX1X200N60B3H1
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
IGBT 600V 175A 520W SMPD
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
MMIX1X200N60B3H1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
MMIX1X200N60B3H1.pdf
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
644 pcs
Referenzpreis
USD 39.89/pcs
Unser Preis
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MMIX1X200N60B3H1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer MMIX1X200N60B3H1
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 175A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 1000A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 100A
Leistung max 520W
Energie wechseln 2.85mJ (on), 2.9mJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 315nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 48ns/160ns
Testbedingung 360V, 100A, 1 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 100ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 24-PowerSMD, 21 Leads
Lieferantengerätepaket 24-SMPD
Gewicht -
Ursprungsland -

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