MII200-12A4 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
MII200-12A4 |
Teilstatus |
Active |
IGBT-Typ |
NPT |
Aufbau |
Half Bridge |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
1200V |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
270A |
Leistung max |
1130W |
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic |
2.7V @ 15V, 150A |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) |
10mA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce |
11nF @ 25V |
Eingang |
Standard |
NTC-Thermistor |
No |
Betriebstemperatur |
150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Chassis Mount |
Paket / Fall |
Y3-DCB |
Lieferantengerätepaket |
Y3-DCB |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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