MII200-12A4

MII200-12A4 - IXYS

Artikelnummer
MII200-12A4
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
MOD IGBT RBSOA 1200V 270A Y3-DCB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
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Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
187 pcs
Referenzpreis
USD 135.49/pcs
Unser Preis
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MII200-12A4 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer MII200-12A4
Teilstatus Active
IGBT-Typ NPT
Aufbau Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 270A
Leistung max 1130W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 150A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 10mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 11nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Y3-DCB
Lieferantengerätepaket Y3-DCB
Gewicht -
Ursprungsland -

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