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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › IXYX100N65B3D1
IXYX100N65B3D1

IXYX100N65B3D1 - IXYS

Artikelnummer
IXYX100N65B3D1
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
IGBT 650V 188A 1150W PLUS247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IXYX100N65B3D1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
IXYX100N65B3D1.pdf
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1729 pcs
Referenzpreis
USD 15.3033/pcs
Unser Preis
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IXYX100N65B3D1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXYX100N65B3D1
Teilstatus Active
IGBT-Typ PT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 225A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 460A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 70A
Leistung max 830W
Energie wechseln 1.27mJ (on), 1.37mJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 168nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 29ns/150ns
Testbedingung 400V, 50A, 3 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 156ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Lieferantengerätepaket PLUS247™-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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