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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › IXYP10N65C3D1
IXYP10N65C3D1

IXYP10N65C3D1 - IXYS

Artikelnummer
IXYP10N65C3D1
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
IGBT 650V 30A 160W TO-220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IXYP10N65C3D1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
IXYP10N65C3D1.pdf
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
300 pcs
Referenzpreis
USD 3.34/pcs
Unser Preis
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IXYP10N65C3D1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXYP10N65C3D1
Teilstatus Active
IGBT-Typ PT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 30A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 54A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 10A
Leistung max 160W
Energie wechseln 240µJ (on), 110µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 18nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 20ns/77ns
Testbedingung 400V, 10A, 50 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 170ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Lieferantengerätepaket TO-220
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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