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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › IXYH40N65B3D1
IXYH40N65B3D1

IXYH40N65B3D1 - IXYS

Artikelnummer
IXYH40N65B3D1
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
IGBT
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IXYH40N65B3D1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
30595 pcs
Referenzpreis
USD 5.38133/pcs
Unser Preis
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Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern IXYH40N65B3D1

IXYH40N65B3D1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXYH40N65B3D1
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 86A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 195A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 40A
Leistung max 300W
Energie wechseln 800µJ (on), 1.25mJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 68nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 20ns/140ns
Testbedingung 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 37ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Lieferantengerätepaket TO-247
Gewicht -
Ursprungsland -

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