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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › IXXX200N60B3
IXXX200N60B3

IXXX200N60B3 - IXYS

Artikelnummer
IXXX200N60B3
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
IGBT
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IXXX200N60B3 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
9630 pcs
Referenzpreis
USD 17.094/pcs
Unser Preis
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IXXX200N60B3 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXXX200N60B3
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 380A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 900A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 100A
Leistung max 1630W
Energie wechseln 2.85mJ (on), 4.4mJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 315nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 48ns/160ns
Testbedingung 360V, 100A, 1 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 100ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Lieferantengerätepaket PLUS247™-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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