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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › IXXK200N65B4
IXXK200N65B4

IXXK200N65B4 - IXYS

Artikelnummer
IXXK200N65B4
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
IGBT 650V 370A 1150W TO264
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IXXK200N65B4 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
IXXK200N65B4.pdf
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
110 pcs
Referenzpreis
USD 19.72/pcs
Unser Preis
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IXXK200N65B4 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXXK200N65B4
Teilstatus Active
IGBT-Typ PT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 370A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 1000A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 160A
Leistung max 1150W
Energie wechseln 4.4mJ (on), 2.2mJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 553nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 62ns/245ns
Testbedingung 400V, 100A, 1 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA
Lieferantengerätepaket TO-264 (IXXK)
Gewicht -
Ursprungsland -

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