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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › IXXH80N65B4
IXXH80N65B4

IXXH80N65B4 - IXYS

Artikelnummer
IXXH80N65B4
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
IGBT 650V 160A 625W TO247AD
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IXXH80N65B4 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
IXXH80N65B4.pdf
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1017 pcs
Referenzpreis
USD 7.1/pcs
Unser Preis
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IXXH80N65B4 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXXH80N65B4
Teilstatus Active
IGBT-Typ PT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 160A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 430A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 80A
Leistung max 625W
Energie wechseln 3.77mJ (on), 1.2mJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 120nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 38ns/120ns
Testbedingung 400V, 80A, 3 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Lieferantengerätepaket TO-247 (IXXH)
Gewicht -
Ursprungsland -

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