| Artikelnummer | IXTQ30N60P |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 82nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5050pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 540W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 240 mOhm @ 15A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-3P |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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IXTQ100N25P | IXYS | MOSFET N-CH 250V 100A TO-3P | Einzelheiten |
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IXTQ102N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 102A TO-3P | Einzelheiten |
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IXTQ102N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 102A TO3P | Einzelheiten |
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IXTQ102N25T | IXYS | MOSFET N-CH 250V 102A TO-3P | Einzelheiten |
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IXTQ10P50P | IXYS | MOSFET P-CH 500V 10A TO-3P | Einzelheiten |
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IXTQ110N055P | IXYS | MOSFET N-CH 55V 110A TO-3P | Einzelheiten |
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IXTQ110N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 110A TO-3P | Einzelheiten |
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IXTQ120N15P | IXYS | MOSFET N-CH 150V 120A TO-3P | Einzelheiten |
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IXTQ120N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 120A TO-3P | Einzelheiten |
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IXTQ120N20P | IXYS | MOSFET N-CH 200V 120A TO-3P | Einzelheiten |
