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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays › IXTL2X180N10T
IXTL2X180N10T

IXTL2X180N10T - IXYS

Artikelnummer
IXTL2X180N10T
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 100V 100A I5-PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IXTL2X180N10T PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
2861 pcs
Referenzpreis
USD 9.2004/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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IXTL2X180N10T detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXTL2X180N10T
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 100A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 7.4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 151nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6900pF @ 25V
Leistung max 150W
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall ISOPLUSi5-Pak™
Lieferantengerätepaket ISOPLUSi5-Pak™
Gewicht -
Ursprungsland -

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