IXTK240N075L2 - IXYS

Artikelnummer	IXTK240N075L2
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	75V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	240A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	7 mOhm @ 120A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 3mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	546nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	19000pF @ 25V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	960W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-264
Paket / Fall	TO-264-3, TO-264AA
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IXTK200N10L2	IXYS	MOSFET N-CH 100V 200A TO-264	Einzelheiten
IXTK200N10P	IXYS	MOSFET N-CH 100V 200A TO-264	Einzelheiten
IXTK20N150	IXYS	MOSFET N-CH 1500V 20A TO-264	Einzelheiten
IXTK21N100	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 21A TO-264	Einzelheiten
IXTK22N100L	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 22A TO-264	Einzelheiten
IXTK240N075L2	IXYS	MOSFET N-CH	Einzelheiten
IXTK250N10	IXYS	MOSFET N-CH 100V 250A TO-264AA	Einzelheiten