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| Artikelnummer | IXTH48P20P |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 200V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 48A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 103nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5400pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 462W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 500mA, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 (IXTH) |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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IXTH02N250 | IXYS | MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO247 | Einzelheiten |
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IXTH02N450HV | IXYS | MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO247HV | Einzelheiten |
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IXTH04N300P3HV | IXYS | 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF | Einzelheiten |
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IXTH06N220P3HV | IXYS | MOSFET N-CH | Einzelheiten |
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IXTH102N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 102A TO-247 | Einzelheiten |
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IXTH102N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 102A TO-247 | Einzelheiten |
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IXTH102N25T | IXYS | MOSFET N-CH 250V 102A TO-247 | Einzelheiten |
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IXTH10N100D | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247 | Einzelheiten |
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IXTH10N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247 | Einzelheiten |
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IXTH10P50 | IXYS | MOSFET P-CH 500V 10A TO-247AD | Einzelheiten |
